W ramach projektu „Hi-Q-LED”, koordynowanego przez Osram Opto Semiconductors przy współpracy Niemieckiego Ministerstwa Nauki i Rozwoju, opracowano diody zielone o przełomowej sprawności 147 lm/W oraz 200 lm/W. Projekt zakładał stworzenie źródeł światła w dwóch technologiach.
Nowa dioda o długości fali 530 nm odznacza się rekordową sprawnością 147 lm/W przy prądzie 350 mA (przy chipie wielkości 1 mm2 daje to gęstość prądu na poziomie 45 A/cm2 ). Spadek napięcia wynosi natomiast 2,93 V. Prototyp nowej diody odznacza się również wysokimi osiągami przy dużych prądach zasilania (338 lm przy 1000 mA). W porównaniu z diodami wykorzystującymi technologię konwersji światła dioda emituje spektrum o szerokości 35 nm. Ten przełom umożliwi konstrukcję wysokowydajnych projektorów, które będą się odznaczały dużo lepszą głębią koloru.
Drugą częścią projektu było opracowanie jeszcze bardziej efektywnej diody zielonej do aplikacji, w których szerokie spektrum nie jest krytyczne. Z użyciem technologii konwersji światła (chip emituje światło niebieskie, a odpowiedni luminofor konwertuje je na światło zielone) osiągnięto imponujący wynik 209 lm/W (przy użyciu chipu wielkości 1 mm2, prądzie zasilania 350 mA i spadku napięcia 2,88 V). Dla prądu 1000 mA struktura jest w stanie wytworzyć nawet 500 lm światła ze skutecznością 160 lm/W. Z kolei maksimum, jakie może zaoferować ta technologia, to 274 lm/W.
Laboratoryjne badania potwierdziły możliwości nowych prototypów. Trwają już prace nad wdrożeniem tej technologii do produktów dostępnych komercyjnie.